產(chǎn)品介紹

VIGO的ENT外延部門生產(chǎn)III-V(GaAs-，InP-)相關(guān)的半導(dǎo)體化合物，在外延方面有35年的經(jīng)驗(yàn)，并且能夠根據(jù)客戶需求提供定制服務(wù)。VIGO利用MOCVD外延技術(shù)制備了二元、三元、四元和五元三-五元化合物半導(dǎo)體的原子工程外延層，具有德國柏林廠商Laytec的監(jiān)控生產(chǎn)系統(tǒng)，擁有水平層流反應(yīng)器，進(jìn)行基片載流子的多次旋轉(zhuǎn)產(chǎn)品。這條新產(chǎn)品線擴(kuò)展了VIGO公司的產(chǎn)品組合，為各種微電子和光子應(yīng)用提供外延服務(wù)，下游的應(yīng)用包含三極管，二極管，激光器，探測器等。具有以下特點(diǎn)：

• 外延納米技術(shù)，超越單一技術(shù)解決方案

• 大規(guī)模生產(chǎn)或小批量制造，提供多類優(yōu)質(zhì)外延片

• 生產(chǎn)的高級III-V族化合物半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)，被廣泛運(yùn)用于光子設(shè)備（F-P、VCSEL、QCL激光器、光電探測器）、微電子設(shè)備（二極管、晶體管）

• 聚焦無線、電信、傳感或打印領(lǐng)域的高度創(chuàng)新型產(chǎn)品，可提供全面的研發(fā)服務(wù)。

III-V族外延晶片主要特點(diǎn)

• 超高純度

• 精確控制厚度在±1nm

• 優(yōu)秀的均勻性

• 重現(xiàn)性

• 可外延尺寸 2, 3, 4，8英寸

產(chǎn)品性能

XRD曲線：

產(chǎn)品純度一致性：

表面粗糙度：

量子井：

產(chǎn)品應(yīng)用

半導(dǎo)體類型：

• 場效應(yīng)晶體管，被動(dòng)器件，高遷移率晶體管

• EEL,SOAs1300-1600 nm,VCSELs(例850nm),DBR,QuantumDots

• LED(550nm to infrared) ,Microwave ,Schottky,High-Brightness

• InGaAs, AlGaAs探測器,SWIR, LWIR

外延晶圓類型：

• GaA based – GaAs,AlxGa1-xAs,InxGa1-xAs,In1-(y+z)GayAlzAs,In0.5(Ga1-xAlx)0.5P

• InP based – InP,In0.53Ga0.47As,In0.52Al0.48As,InxGa1-xAsyP1-y,(AlxGa1-x )InyP1-y